TN0106N3-G P005

Изображения только для справки
номер части
TN0106N3-G P005
производитель
Microchip Technology
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Характеристики

производитель
Microchip Technology
категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-92-3
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
1 W
Qg - Gate Charge
-
Rds On - Drain-Source Resistance
3 Ohms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V

последние обзоры

Quickly came to CET, all in one package. Look at the rules

Takes 8 days to Japan. Good!

Goods came in two weeks. Well packed. Track number tracked

The goods are OK, thank you dealers.

Great product. Arrived ahead of time. Thank you

Ключевые слова к TN01

  • TN0106N3-G P005 интегрированный
  • TN0106N3-G P005 RoHS
  • TN0106N3-G P005 PDF Datasheet
  • TN0106N3-G P005 Техническая спецификация
  • TN0106N3-G P005 Часть
  • TN0106N3-G P005 купить
  • TN0106N3-G P005 дистрибьютор
  • TN0106N3-G P005 PDF
  • TN0106N3-G P005 Составная часть
  • TN0106N3-G P005 ИС
  • TN0106N3-G P005 Скачать PDF
  • TN0106N3-G P005 Скачать таблицу
  • TN0106N3-G P005 Поставка
  • TN0106N3-G P005 поставщик
  • TN0106N3-G P005 Цена
  • TN0106N3-G P005 Техническая спецификация
  • TN0106N3-G P005 Образ
  • TN0106N3-G P005 Картина
  • TN0106N3-G P005 инвентарь
  • TN0106N3-G P005 Склад
  • TN0106N3-G P005 оригинал
  • TN0106N3-G P005 самый дешевый
  • TN0106N3-G P005 Отлично
  • TN0106N3-G P005 Без свинца
  • TN0106N3-G P005 Спецификация
  • TN0106N3-G P005 Горячие предложения
  • TN0106N3-G P005 Цена перерыва
  • TN0106N3-G P005 Технические данные