R6020ENZ4C13

Изображения только для справки
номер части
R6020ENZ4C13
производитель
ROHM Semiconductor
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET

Характеристики

производитель
ROHM Semiconductor
категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
20 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
231 W
Qg - Gate Charge
60 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
196 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V

последние обзоры

Quick delivery. Secure packing. Excellent product. Thank you

Shipped quickly, it was about 1 weeks in Krasnodar. Until the check operation, but to look at everything together

Good product. Very small and well built. Ii is not produce any kind of. nterferences RFi. Quick delivery

Thank you for the help in the selection of the correct driver, connect, works, not heated perfectly!

Everything is fine!

Вам также может понравиться

Люди смотрят R6020ENZ4C13 и покупают

Ключевые слова к R602

  • R6020ENZ4C13 интегрированный
  • R6020ENZ4C13 RoHS
  • R6020ENZ4C13 PDF Datasheet
  • R6020ENZ4C13 Техническая спецификация
  • R6020ENZ4C13 Часть
  • R6020ENZ4C13 купить
  • R6020ENZ4C13 дистрибьютор
  • R6020ENZ4C13 PDF
  • R6020ENZ4C13 Составная часть
  • R6020ENZ4C13 ИС
  • R6020ENZ4C13 Скачать PDF
  • R6020ENZ4C13 Скачать таблицу
  • R6020ENZ4C13 Поставка
  • R6020ENZ4C13 поставщик
  • R6020ENZ4C13 Цена
  • R6020ENZ4C13 Техническая спецификация
  • R6020ENZ4C13 Образ
  • R6020ENZ4C13 Картина
  • R6020ENZ4C13 инвентарь
  • R6020ENZ4C13 Склад
  • R6020ENZ4C13 оригинал
  • R6020ENZ4C13 самый дешевый
  • R6020ENZ4C13 Отлично
  • R6020ENZ4C13 Без свинца
  • R6020ENZ4C13 Спецификация
  • R6020ENZ4C13 Горячие предложения
  • R6020ENZ4C13 Цена перерыва
  • R6020ENZ4C13 Технические данные