TN0110N3-G

Изображения только для справки
номер части
TN0110N3-G
производитель
Microchip Technology
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET 100V 3Ohm

Характеристики

производитель
Microchip Technology
категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
1 W
Qg - Gate Charge
-
Rds On - Drain-Source Resistance
3 Ohms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
600 mV

последние обзоры

Thanks for your feedback!

Quickly came to CET, all in one package. Look at the rules

Article fits the description on the website and it is good quality. Free in 5 days in France well protected in a bubble envelope. Each value is row in a small bag zip. Trés satisfied with my purchase, I recommend this article and this supplier.

Yes, they are all here. :)

packed pretty good, all is ok,-seller.

Ключевые слова к TN01

  • TN0110N3-G интегрированный
  • TN0110N3-G RoHS
  • TN0110N3-G PDF Datasheet
  • TN0110N3-G Техническая спецификация
  • TN0110N3-G Часть
  • TN0110N3-G купить
  • TN0110N3-G дистрибьютор
  • TN0110N3-G PDF
  • TN0110N3-G Составная часть
  • TN0110N3-G ИС
  • TN0110N3-G Скачать PDF
  • TN0110N3-G Скачать таблицу
  • TN0110N3-G Поставка
  • TN0110N3-G поставщик
  • TN0110N3-G Цена
  • TN0110N3-G Техническая спецификация
  • TN0110N3-G Образ
  • TN0110N3-G Картина
  • TN0110N3-G инвентарь
  • TN0110N3-G Склад
  • TN0110N3-G оригинал
  • TN0110N3-G самый дешевый
  • TN0110N3-G Отлично
  • TN0110N3-G Без свинца
  • TN0110N3-G Спецификация
  • TN0110N3-G Горячие предложения
  • TN0110N3-G Цена перерыва
  • TN0110N3-G Технические данные