TN0106N3-G-P013

Изображения только для справки
номер части
TN0106N3-G-P013
производитель
Microchip Technology
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Характеристики

производитель
Microchip Technology
категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-92-3
Packaging
Ammo Pack
Pd - Power Dissipation
1 W
Qg - Gate Charge
-
Rds On - Drain-Source Resistance
3 Ohms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V

последние обзоры

everything as it is written in the description of the same deductible prodovtsu deserved

Thank you! Received consistent. Long Service. Walking in Russia! Seller recommend!!!

Hello! Order received, very happy. Thank you very much!

Perfectly.

The timer is running. 10 PCS. Packed properly.

Ключевые слова к TN01

  • TN0106N3-G-P013 интегрированный
  • TN0106N3-G-P013 RoHS
  • TN0106N3-G-P013 PDF Datasheet
  • TN0106N3-G-P013 Техническая спецификация
  • TN0106N3-G-P013 Часть
  • TN0106N3-G-P013 купить
  • TN0106N3-G-P013 дистрибьютор
  • TN0106N3-G-P013 PDF
  • TN0106N3-G-P013 Составная часть
  • TN0106N3-G-P013 ИС
  • TN0106N3-G-P013 Скачать PDF
  • TN0106N3-G-P013 Скачать таблицу
  • TN0106N3-G-P013 Поставка
  • TN0106N3-G-P013 поставщик
  • TN0106N3-G-P013 Цена
  • TN0106N3-G-P013 Техническая спецификация
  • TN0106N3-G-P013 Образ
  • TN0106N3-G-P013 Картина
  • TN0106N3-G-P013 инвентарь
  • TN0106N3-G-P013 Склад
  • TN0106N3-G-P013 оригинал
  • TN0106N3-G-P013 самый дешевый
  • TN0106N3-G-P013 Отлично
  • TN0106N3-G-P013 Без свинца
  • TN0106N3-G-P013 Спецификация
  • TN0106N3-G-P013 Горячие предложения
  • TN0106N3-G-P013 Цена перерыва
  • TN0106N3-G-P013 Технические данные