R6004KNX

Изображения только для справки
номер части
R6004KNX
производитель
ROHM Semiconductor
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET

Характеристики

производитель
ROHM Semiconductor
категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
4 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-220-3
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
40 W
Qg - Gate Charge
10.2 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
900 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V

последние обзоры

everything as it is written in the description of the same deductible prodovtsu deserved

Received, Fast shipping, not checked yet

Everything is excellent! recommend this seller!

High Quality driver, works excellent. It came to Moscow for 7 days.

Everything is fine!

Вам также может понравиться

Люди смотрят R6004KNX и покупают

Ключевые слова к R600

  • R6004KNX интегрированный
  • R6004KNX RoHS
  • R6004KNX PDF Datasheet
  • R6004KNX Техническая спецификация
  • R6004KNX Часть
  • R6004KNX купить
  • R6004KNX дистрибьютор
  • R6004KNX PDF
  • R6004KNX Составная часть
  • R6004KNX ИС
  • R6004KNX Скачать PDF
  • R6004KNX Скачать таблицу
  • R6004KNX Поставка
  • R6004KNX поставщик
  • R6004KNX Цена
  • R6004KNX Техническая спецификация
  • R6004KNX Образ
  • R6004KNX Картина
  • R6004KNX инвентарь
  • R6004KNX Склад
  • R6004KNX оригинал
  • R6004KNX самый дешевый
  • R6004KNX Отлично
  • R6004KNX Без свинца
  • R6004KNX Спецификация
  • R6004KNX Горячие предложения
  • R6004KNX Цена перерыва
  • R6004KNX Технические данные