R6025JNZ4C13

Изображения только для справки
номер части
R6025JNZ4C13
производитель
ROHM Semiconductor
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET 600V N-CH 25A POWER

Характеристики

производитель
ROHM Semiconductor
категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
25 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
306 W
Qg - Gate Charge
57 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
182 mOhms
Technology
SI
Tradename
PrestoMOS
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V

последние обзоры

goods very well received very good quality

Shipped quickly, it was about 1 weeks in Krasnodar. Until the check operation, but to look at everything together

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Everything is fine!

Good material. Great seller, efficient and insurance. Ok

Вам также может понравиться

Люди смотрят R6025JNZ4C13 и покупают

Ключевые слова к R602

  • R6025JNZ4C13 интегрированный
  • R6025JNZ4C13 RoHS
  • R6025JNZ4C13 PDF Datasheet
  • R6025JNZ4C13 Техническая спецификация
  • R6025JNZ4C13 Часть
  • R6025JNZ4C13 купить
  • R6025JNZ4C13 дистрибьютор
  • R6025JNZ4C13 PDF
  • R6025JNZ4C13 Составная часть
  • R6025JNZ4C13 ИС
  • R6025JNZ4C13 Скачать PDF
  • R6025JNZ4C13 Скачать таблицу
  • R6025JNZ4C13 Поставка
  • R6025JNZ4C13 поставщик
  • R6025JNZ4C13 Цена
  • R6025JNZ4C13 Техническая спецификация
  • R6025JNZ4C13 Образ
  • R6025JNZ4C13 Картина
  • R6025JNZ4C13 инвентарь
  • R6025JNZ4C13 Склад
  • R6025JNZ4C13 оригинал
  • R6025JNZ4C13 самый дешевый
  • R6025JNZ4C13 Отлично
  • R6025JNZ4C13 Без свинца
  • R6025JNZ4C13 Спецификация
  • R6025JNZ4C13 Горячие предложения
  • R6025JNZ4C13 Цена перерыва
  • R6025JNZ4C13 Технические данные