R6004JNXC7G

Изображения только для справки
номер части
R6004JNXC7G
производитель
ROHM Semiconductor
категории
MOSFET
RoHS
Техническая спецификация
Описание
MOSFET 600V N-CH 4A POWER

Характеристики

производитель
ROHM Semiconductor
категории
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
4 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
35 W
Qg - Gate Charge
10.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
1.43 Ohms
Technology
SI
Tradename
PrestoMOS
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V

последние обзоры

Properly packed, not damaged. Works well, voltage levels are stable. Recommend.

Everything as it is written in the description of the same deductible prodovtsu deserved 5

Takes 8 days to Japan. Good!

Hello! Order received, very happy. Thank you very much!

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Вам также может понравиться

Люди смотрят R6004JNXC7G и покупают

Ключевые слова к R600

  • R6004JNXC7G интегрированный
  • R6004JNXC7G RoHS
  • R6004JNXC7G PDF Datasheet
  • R6004JNXC7G Техническая спецификация
  • R6004JNXC7G Часть
  • R6004JNXC7G купить
  • R6004JNXC7G дистрибьютор
  • R6004JNXC7G PDF
  • R6004JNXC7G Составная часть
  • R6004JNXC7G ИС
  • R6004JNXC7G Скачать PDF
  • R6004JNXC7G Скачать таблицу
  • R6004JNXC7G Поставка
  • R6004JNXC7G поставщик
  • R6004JNXC7G Цена
  • R6004JNXC7G Техническая спецификация
  • R6004JNXC7G Образ
  • R6004JNXC7G Картина
  • R6004JNXC7G инвентарь
  • R6004JNXC7G Склад
  • R6004JNXC7G оригинал
  • R6004JNXC7G самый дешевый
  • R6004JNXC7G Отлично
  • R6004JNXC7G Без свинца
  • R6004JNXC7G Спецификация
  • R6004JNXC7G Горячие предложения
  • R6004JNXC7G Цена перерыва
  • R6004JNXC7G Технические данные