MTD8000M3B-T

Изображения только для справки
номер части
MTD8000M3B-T
производитель
Marktech Optoelectronics
категории
Phototransistors
RoHS
Техническая спецификация
Описание
Phototransistors Photo Diode 880nm

Характеристики

производитель
Marktech Optoelectronics
категории
Phototransistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Dark Current
100 nA
Fall Time
10 us
Maximum On-State Collector Current
30 mA
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Minimum Operating Temperature
- 25 C
Mounting Style
Through Hole
Pd - Power Dissipation
80 mW
Peak Wavelength
880 nm
Product
Phototransistors
Rise Time
10 us

последние обзоры

Very good and reliable device, thank you, keep it rolling! Highly recommend to buy!

all exactly and work. радиолюбителя useful set to, thank you)

Thank You all fine, packed very well

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Goods came in two weeks. Well packed. Track number tracked

Вам также может понравиться

Люди смотрят MTD8000M3B-T и покупают

Ключевые слова к MTD8

  • MTD8000M3B-T интегрированный
  • MTD8000M3B-T RoHS
  • MTD8000M3B-T PDF Datasheet
  • MTD8000M3B-T Техническая спецификация
  • MTD8000M3B-T Часть
  • MTD8000M3B-T купить
  • MTD8000M3B-T дистрибьютор
  • MTD8000M3B-T PDF
  • MTD8000M3B-T Составная часть
  • MTD8000M3B-T ИС
  • MTD8000M3B-T Скачать PDF
  • MTD8000M3B-T Скачать таблицу
  • MTD8000M3B-T Поставка
  • MTD8000M3B-T поставщик
  • MTD8000M3B-T Цена
  • MTD8000M3B-T Техническая спецификация
  • MTD8000M3B-T Образ
  • MTD8000M3B-T Картина
  • MTD8000M3B-T инвентарь
  • MTD8000M3B-T Склад
  • MTD8000M3B-T оригинал
  • MTD8000M3B-T самый дешевый
  • MTD8000M3B-T Отлично
  • MTD8000M3B-T Без свинца
  • MTD8000M3B-T Спецификация
  • MTD8000M3B-T Горячие предложения
  • MTD8000M3B-T Цена перерыва
  • MTD8000M3B-T Технические данные